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Vishay (siliconix)
Transistor MOSFET Canal N 20V 3.6A SI2304DDS-T1-GE3
Référence produit : SI2304DDS-T1-GE3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.26 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.78 € | -38% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 20V |
| Courant de drain | 3.6A |
| Résistance à l'état passant | 40mΩ (Vgs=4.5V) |
| Tension de seuil | 0.6V à 1.2V |
| Charge de grille | 4.5nC |
Description technique du produit (SI2304DDS-T1-GE3):
Transistor MOSFET Canal N 20V 3.6A SI2304DDS-T1-GE3. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour la commutation rapide dans les applications de gestion de puissance.