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Transistor MOSFET Canal N 20V 200A IRF3711ZS

Référence produit : IRF3711ZS
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)20V
Courant de drain continu (Id)200A
Résistance à l'état passant (Rds(on))1.8mΩ
Tension de seuil de grille (Vgs(th))1.0V - 2.0V
Charge de grille totale (Qg)120nC

Description technique du produit (IRF3711ZS):

Transistor MOSFET Canal N 20V 200A IRF3711ZS. Le IRF3711ZS est un MOSFET de puissance à canal N de faible tension, conçu pour les applications de commutation à courant élevé. Il offre une résistance à l'état passant extrêmement faible et des performances de commutation rapides.