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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 20V 10A YJH10N02A
Référence produit : YJH10N02A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 0.49 € | — |
| 50 – 199 | 0.22 € | -55% |
| 200 – 499 | 0.19 € | -61% |
| 500 – 999 | 0.17 € | -65% |
| 1000 – 1999 | 0.16 € | -67% |
| 2000+Meilleur prix | 0.16 € | -67% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 20V |
| Courant de drain (Id) | 10A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | < 20mΩ |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1.0-2.5V |
| Charge de grille (Qg) | ~15nC |
Description technique du produit (YJH10N02A):
Transistor MOSFET Canal N 20V 10A YJH10N02A. Le YJH10N02A est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, le rendant adapté aux convertisseurs DC-DC et à la gestion de l'énergie.