En stock
Onsemi (fairchild)
Transistor MOSFET Canal N 20V 1.6A NDS352AP
Référence produit : NDS352AP
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.56 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.47 € | -16% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 20V |
| Courant de drain continu (Id) | 1.6A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 100mΩ (typ.) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.45V - 1.0V |
| Charge de grille (Qg) | 4.5nC (typ.) |
Description technique du produit (NDS352AP):
Transistor MOSFET Canal N 20V 1.6A NDS352AP. Transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation de faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse, le rendant idéal pour les circuits portables et la gestion de l'énergie.