En stock
Onsemi
Transistor MOSFET Canal N 20V 1.5A FDN335N
Référence produit : FDN335N
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 1.15 € | — |
| 5 – 9 | 0.72 € | -37% |
| 10 – 19 | 0.56 € | -51% |
| 20 – 49 | 0.49 € | -57% |
| 50+Meilleur prix | 0.43 € | -63% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 20V |
| Courant de drain continu (Id) | 1.5A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 85 mOhm (typ.) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.45V - 1.0V |
| Charge de grille (Qg) | 3.5 nC (typ.) |
| Boîtier | SOT-23 |
Description technique du produit (FDN335N):
Transistor MOSFET Canal N 20V 1.5A FDN335N. Transistor MOSFET à canal N, conçu pour les applications de commutation de faible puissance et de gestion de l'énergie dans les systèmes portables. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse.