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Seiko Epson

Transistor MOSFET Canal N 20V 0.15A SCI7701YLAT1

Vendu par lot de 50 (le prix affiché est pour un lot de 50)
Référence produit : SCI7701YLAT1
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)20V
Courant de drain continu (Id)150mA
Résistance à l'état passant (Rds(on))1.5 Ohm
Tension de seuil (Vgs(th))1V
Charge de grille (Qg)1.5 nC

Description technique du produit (SCI7701YLAT1):

Transistor MOSFET Canal N 20V 0.15A SCI7701YLAT1. Transistor MOSFET à canal N de faible puissance, conçu pour les applications de commutation et de gestion de puissance.

. Vendu par lot de 50 (le prix affiché est pour un lot de 50)