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Philips Semiconductors
Transistor MOSFET Canal N 20V 0.03A BF979
Référence produit : BF979
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|---|---|---|
| 1 – 24 | 0.94 € | — |
| 25+Meilleur prix | 0.92 € | -2% |
Caractéristiques techniques
3 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 20V |
| Courant de drain (Id) | 30mA |
| Transconductance directe (Yfs) | 20 mS (typ.) |
Description technique du produit (BF979):
Transistor MOSFET Canal N 20V 0.03A BF979. Le BF979 est un transistor MOSFET à double grille de type canal N, conçu pour les applications de radiofréquence (RF). Il est couramment utilisé dans les étages d'amplification RF, les mélangeurs et les tuners grâce à sa faible capacité d'entrée et son gain élevé.