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Toshiba
Transistor MOSFET Canal N 200V 9A YTAF630
Référence produit : YTAF630
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.38 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 200V |
| Courant de drain (Id) | 9A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.40Ω |
| Charge de grille (Qg) | 25nC |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2V-4V |
Description technique du produit (YTAF630):
Transistor MOSFET Canal N 200V 9A YTAF630. Transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide.