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Philips Semiconductors

Transistor MOSFET Canal N 200V 9A PHP9NQ20T

Référence produit : PHP9NQ20T
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)200V
Courant de drain (Id)9A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.28 Ohm
Tension de seuil (Vgs(th))2V à 4V
Charge de grille (Qg)12 nC

Description technique du produit (PHP9NQ20T):

Transistor MOSFET Canal N 200V 9A PHP9NQ20T. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation rapide et de gestion de puissance.