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IXYS

Transistor MOSFET Canal N 200V 96A IXTH96N20P

Référence produit : IXTH96N20P
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)200V
Courant de drain continu (Id)96A
Résistance à l'état passant (Rds(on))20mΩ (typ.)
Tension de seuil (Vgs(th))3V - 5V
Charge de grille (Qg)100nC (typ.)

Description technique du produit (IXTH96N20P):

Transistor MOSFET Canal N 200V 96A IXTH96N20P. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de haute puissance.