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Infineon Technologies

Transistor MOSFET Canal N 200V 90A IRFP90N20D

Référence produit : IRFP90N20D
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source200V
Courant de drain90A
Résistance à l'état passant18 mΩ
Tension de seuil2.0V - 4.0V
Charge de grille150 nC

Description technique du produit (IRFP90N20D):

Transistor MOSFET Canal N 200V 90A IRFP90N20D. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de haute puissance.