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Stmicroelectronics
Transistor MOSFET Canal N 200V 9.3A IRF630
Référence produit : IRF630
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 1.57 € | — |
| 50+Meilleur prix | 1.31 € | -17% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 200V |
| Courant de drain | 9.3A |
| Résistance à l'état passant | 0.40 Ohm |
| Tension de seuil | 2V à 4V |
| Charge de grille typique | 25 nC |
Description technique du produit (IRF630):
Transistor MOSFET Canal N 200V 9.3A IRF630. Transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide.