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Transistor MOSFET Canal N 200V 8A BUZ90

Référence produit : BUZ90
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)200V
Courant de drain continu (Id)8A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.3 Ohm
Tension de seuil (Vgs(th))2V - 4V
Charge de grille (Qg)20 nC (typ.)

Description technique du produit (BUZ90):

Transistor MOSFET Canal N 200V 8A BUZ90. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.