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Transistor MOSFET Canal N 200V 65A IRFB4227
Référence produit : IRFB4227
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 4.32 € | — |
| 100+Meilleur prix | 4.08 € | -6% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 200V |
| Courant de drain continu (Id) | 65A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 27mΩ max |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.0V - 4.0V |
| Charge de grille (Qg) | 70nC typ |
Description technique du produit (IRFB4227):
Transistor MOSFET Canal N 200V 65A IRFB4227. Le IRFB4227 est un MOSFET de puissance HEXFET à canal N conçu pour des applications de commutation à haute performance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour une efficacité accrue dans les convertisseurs de puissance.