En stock
IXYS
Transistor MOSFET Canal N 200V 58A IXFH58N20
Référence produit : IXFH58N20
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 28.07 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 200V |
| Courant de drain continu (Id) | 58A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 35mΩ (max) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2V - 4V |
| Charge de grille (Qg) | 70nC (typ) |
Description technique du produit (IXFH58N20):
Transistor MOSFET Canal N 200V 58A IXFH58N20. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation rapide et de gestion de puissance.