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Fairchild

Transistor MOSFET Canal N 200V 4A FQT4N20LTF

Référence produit : FQT4N20LTF
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source200V
Courant de drain continu4A
Résistance à l'état passant0.8 Ohm (max) à Vgs=10V, Id=2A
Tension de seuil de grille2.0V - 4.0V
Charge de grille totale7.5 nC (typ)

Description technique du produit (FQT4N20LTF):

Transistor MOSFET Canal N 200V 4A FQT4N20LTF. Le FQT4N20LTF est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances efficaces.