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IXYS
Transistor MOSFET Canal N 200V 460A IXTQ460P2
Référence produit : IXTQ460P2
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 59 | 9.50 € | — |
| 60+Meilleur prix | 8.96 € | -6% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 200V |
| Courant de drain continu (Id) | 460A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 4.6mΩ |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V - 5V |
| Charge de grille (Qg) | 180nC |
Description technique du produit (IXTQ460P2):
Transistor MOSFET Canal N 200V 460A IXTQ460P2. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute puissance et haute vitesse.
