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Transistor MOSFET Canal N 200V 31A IRFB31N20D

Référence produit : IRFB31N20D
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)200V
Courant de drain continu (Id)31A
Résistance à l'état passant (Rds(on))65 mOhm (max)
Tension de seuil (Vgs(th))2.0V - 4.0V
Charge de grille (Qg)45 nC (typ)

Description technique du produit (IRFB31N20D):

Transistor MOSFET Canal N 200V 31A IRFB31N20D. Le IRFB31N20D est un MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, le rendant idéal pour les convertisseurs de puissance et les contrôleurs de moteur.