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Fairchild
Transistor MOSFET Canal N 200V 3.3A IRF610B
Référence produit : IRF610B
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 0.71 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 200V |
| Courant de drain continu (Id) | 3.3A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.8 Ohm à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2V - 4V |
| Charge de grille (Qg) | 10nC |
Description technique du produit (IRF610B):
Transistor MOSFET Canal N 200V 3.3A IRF610B. Le IRF610B est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de commutation rapide.