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Vishay

Transistor MOSFET Canal N 200V 3.3A IRF610

Référence produit : IRF610
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source200V
Courant de drain continu3.3A
Résistance à l'état passant Rds(on)1.5 Ohm (max) à Vgs=10V
Tension de seuil de grille Vgs(th)2V à 4V
Charge de grille Qg10 nC (typ)

Description technique du produit (IRF610):

Transistor MOSFET Canal N 200V 3.3A IRF610. Le IRF610 est un MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.