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Transistor MOSFET Canal N 200V 3.1A IRFI630G
Référence produit : IRFI630G
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.80 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 200V |
| Courant de drain continu (Id) | 3.1A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.40 Ohm max |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.0V - 4.0V |
| Charge de grille (Qg) | 12 nC typique |
Description technique du produit (IRFI630G):
Transistor MOSFET Canal N 200V 3.1A IRFI630G. Le IRFI630G est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de tenue en tension élevée, le rendant adapté aux alimentations à découpage et aux convertisseurs.