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Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRL640SPBF

Référence produit : IRL640SPBF
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)200 V
Courant de drain continu (Id)18 A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.18 Ohm
Tension de seuil (Vgs(th))2.0V - 4.0V
Charge de grille (Qg)38 nC

Description technique du produit (IRL640SPBF):

Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRL640SPBF. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.