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Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRL640S

Référence produit : IRL640S
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source200V
Courant de drain continu18A
Résistance à l'état passant0.18 Ohm (max)
Tension de seuil de grille2.0V-4.0V
Charge de grille totale typique35 nC

Description technique du produit (IRL640S):

Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRL640S. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide.