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On Semiconductor
Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRL640A
Référence produit : IRL640A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 1.98 € | — |
| 5 – 9 | 1.61 € | -19% |
| 10 – 19 | 1.46 € | -26% |
| 20 – 49 | 1.33 € | -33% |
| 50+Meilleur prix | 1.22 € | -38% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 200V |
| Courant de drain continu | 18A |
| Résistance à l'état passant | 0.18 Ohm |
| Tension de seuil | 2.0V - 4.0V |
| Boîtier | TO-220AB |
Description technique du produit (IRL640A):
Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRL640A. Le IRL640A est un MOSFET de puissance HEXFET à canal N conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille de niveau logique, ce qui le rend compatible avec les microcontrôleurs et les circuits logiques.