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Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRL640

Référence produit : IRL640
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source200V
Courant de drain continu18A
Résistance à l'état passant0.18 Ohm
Tension de seuil2V - 4V
BoîtierTO-220AB

Description technique du produit (IRL640):

Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRL640. Le IRL640 est un MOSFET de puissance HEXFET à canal N conçu pour des applications de commutation rapide.