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Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRF640PBF
Référence produit : IRF640PBF
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.05 € | — |
| 5 – 9 | 1.66 € | -19% |
| 10 – 19 | 1.49 € | -27% |
| 20 – 49 | 1.33 € | -35% |
| 50 – 99 | 1.21 € | -41% |
| 100+Meilleur prix | 1.18 € | -42% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 200V |
| Courant de drain continu (Id) | 18A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.18 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.0V - 4.0V |
| Charge de grille (Qg) | 63 nC |
Description technique du produit (IRF640PBF):
Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRF640PBF. Le IRF640PBF est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée.