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Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRC640

Référence produit : IRC640
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source200V
Courant de drain18A
Résistance à l'état passant0.18 Ohm (max)
Tension de seuil de grille2.0V - 4.0V
Charge de grille45 nC (typ.)

Description technique du produit (IRC640):

Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRC640. Le IRC640 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, le rendant idéal pour les convertisseurs et les commandes de moteurs.