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Transistor MOSFET Canal N 200V 130A IRFP4668

Référence produit : IRFP4668
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)200V
Courant de drain continu (Id)130A
Résistance à l'état passant (Rds(on))7.5 mΩ max
Tension de seuil (Vgs(th))2.0V - 4.0V
Charge de grille (Qg)160 nC typ.

Description technique du produit (IRFP4668):

Transistor MOSFET Canal N 200V 130A IRFP4668. Le IRFP4668 est un MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute performance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour une efficacité accrue.