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IXYS

Transistor MOSFET Canal N 200V 120A IXFR120N20P

Référence produit : IXFR120N20P
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)200V
Courant de drain continu (Id)120A
Résistance à l'état passant (Rds(on))12 mΩ (max)
Tension de seuil (Vgs(th))2.5V - 4.5V
Charge de grille (Qg)120 nC (typ)

Description technique du produit (IXFR120N20P):

Transistor MOSFET Canal N 200V 120A IXFR120N20P. Le IXFR120N20P est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et de forte puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances efficaces.