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Fairchild

Transistor MOSFET Canal N 200V 10A FQPF10N20C

Référence produit : FQPF10N20C
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)200V
Courant de drain continu (Id)10A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.28 Ohm (max)
Tension de seuil (Vgs(th))2.0V - 4.0V
Charge de grille (Qg)18 nC (typique)

Description technique du produit (FQPF10N20C):

Transistor MOSFET Canal N 200V 10A FQPF10N20C. Le FQPF10N20C est un transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances efficaces.