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Exicon

Transistor MOSFET Canal N 200V 10A ECX10N20

Référence produit : ECX10N20
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)200V
Courant de drain continu (Id)10A
Résistance à l'état passant (Rds(on))250mΩ
Tension de seuil (Vgs(th))3V
Charge de grille (Qg)15nC

Description technique du produit (ECX10N20):

Transistor MOSFET Canal N 200V 10A ECX10N20. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.