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Vishay (siliconix)

Transistor MOSFET Canal N 200V 1.1A IRFL210PBF

Référence produit : IRFL210PBF
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source (Vds)200V
Courant de drain continu (Id)1.1A
Résistance à l'état passant (Rds(on))1.2 Ohm max
Tension de seuil (Vgs(th))2V à 4V

Description technique du produit (IRFL210PBF):

Transistor MOSFET Canal N 200V 1.1A IRFL210PBF. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide.