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Nxp Semiconductors
Transistor MOSFET Canal N 200V 0.7A BSP100
Référence produit : BSP100
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 0.89 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 200V |
| Courant de drain continu (Id) | 0.7A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.8 Ohm (max) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2V à 4V |
| Charge de grille (Qg) | 5.5 nC (typ.) |
Description technique du produit (BSP100):
Transistor MOSFET Canal N 200V 0.7A BSP100. Le BSP100 est un transistor MOSFET de puissance à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation rapide et de faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de claquage élevée, le rendant adapté aux circuits de commande et aux interfaces logiques.