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Philips Semiconductors

Transistor MOSFET Canal N 150V 35A PSMN035-150P

Référence produit : PSMN035-150P
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)150 V
Courant de drain continu (Id)35 A
Résistance à l'état passant (Rds(on))35 mΩ (typ.)
Tension de seuil (Vgs(th))2 V à 4 V
Charge de grille (Qg)35 nC (typ.)

Description technique du produit (PSMN035-150P):

Transistor MOSFET Canal N 150V 35A PSMN035-150P. MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haut rendement.