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Transistor MOSFET Canal N 150V 29A IRFB4019

Référence produit : IRFB4019
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)150V
Courant de drain continu (Id)29A
Résistance à l'état passant (Rds(on))40mΩ
Tension de seuil (Vgs(th))2.0V - 4.0V
Charge de grille (Qg)28nC

Description technique du produit (IRFB4019):

Transistor MOSFET Canal N 150V 29A IRFB4019. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de haute efficacité.