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Infineon
Transistor MOSFET Canal N 12V 0.03A BF998E6327
Référence produit : BF998E6327
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 4.01 € | — |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension drain-source | 12 V |
| Courant de drain | 30 mA |
| Tension grille-source 1 | -2 V à 4 V |
| Tension grille-source 2 | -2 V à 6 V |
| Gain en puissance | 20 dB (typ.) |
| Facteur de bruit | 0.7 dB (typ.) |
Description technique du produit (BF998E6327):
Transistor MOSFET Canal N 12V 0.03A BF998E6327. Le BF998E6327 est un transistor MOSFET à double grille de type N, conçu pour les applications de radiofréquence (RF) dans les bandes VHF et UHF. Il offre un gain élevé et un faible facteur de bruit, le rendant idéal pour les étages d'entrée de récepteurs et les mélangeurs.