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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 1200V 60A AIMW120R035M1HXKSA1
Référence produit : AIMW120R035M1HXKSA1
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 41.95 € | — |
| 2 – 2 | 39.40 € | -6% |
| 3 – 3 | 37.40 € | -11% |
| 4 – 4 | 35.44 € | -16% |
| 5 – 9 | 33.96 € | -19% |
| 10 – 29 | 33.36 € | -20% |
| 30+Meilleur prix | 33.34 € | -21% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 1200V |
| Courant de drain continu | 60A |
| Résistance à l'état passant | 35 mOhm |
| Tension de seuil de grille | 4.5V |
| Charge de grille totale | 120 nC |
Description technique du produit (AIMW120R035M1HXKSA1):
Transistor MOSFET Canal N 1200V 60A AIMW120R035M1HXKSA1. Transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) à canal N, conçu pour les applications de commutation haute tension et haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et des performances de commutation rapides.