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Transistor MOSFET Canal N 1200V 30A MSC030SDA120B
Référence produit : MSC030SDA120B
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 15.55 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 1200 V |
| Courant de drain continu | 30 A |
| Résistance à l'état passant | 30 mΩ |
| Tension de seuil de grille | 4.5 V |
| Charge de grille totale | 50 nC |
Description technique du produit (MSC030SDA120B):
Transistor MOSFET Canal N 1200V 30A MSC030SDA120B. MOSFET de puissance Canal N en carbure de silicium (SiC) à haute tension et courant élevé, conçu pour les applications de conversion de puissance à haut rendement.