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Transistor MOSFET Canal N 100V 9.2A IRFI520G

Référence produit : IRFI520G
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source100V
Courant de drain9.2A
Résistance à l'état passant0.27 Ohm (max)
Tension de seuil de grille2.0V - 4.0V
Charge de grille typique18nC

Description technique du produit (IRFI520G):

Transistor MOSFET Canal N 100V 9.2A IRFI520G. Le IRFI520G est un MOSFET de puissance HEXFET à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, encapsulé dans un boîtier TO-220 Full-Pak isolé.