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Transistor MOSFET Canal N 100V 80A IRF8010S

Référence produit : IRF8010S
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)100V
Courant de drain continu (Id)80A
Résistance à l'état passant (Rds(on))10mΩ (max) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))2.0V - 4.0V
Charge de grille totale (Qg)100nC (typ)

Description technique du produit (IRF8010S):

Transistor MOSFET Canal N 100V 80A IRF8010S. Le IRF8010S est un MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de haute performance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, le rendant idéal pour les convertisseurs de puissance et les contrôleurs de moteur.