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ON Semiconductor

Transistor MOSFET Canal N 100V 6.5A FQD7N10L

Référence produit : FQD7N10L
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source100V
Courant de drain continu6.5A
Résistance à l'état passant0.25 Ohm
Tension de seuil de grille1V à 2V
Charge de grille totale7.5nC

Description technique du produit (FQD7N10L):

Transistor MOSFET Canal N 100V 6.5A FQD7N10L. Transistor MOSFET Canal N à niveau logique, conçu pour la commutation rapide dans diverses applications.