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Transistor MOSFET Canal N 100V 5.6A IRF510
Référence produit : IRF510
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|---|---|---|
| 1 – 199 | 1.07 € | — |
| 200+Meilleur prix | 0.98 € | -8% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 100V |
| Courant de drain continu (Id) | 5.6A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.54 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2V à 4V |
| Charge de grille (Qg) | 11 nC |
Description technique du produit (IRF510):
Transistor MOSFET Canal N 100V 5.6A IRF510. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide.