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Transistor MOSFET Canal N 100V 4.7A IRFR110

Référence produit : IRFR110
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)100V
Courant de drain continu (Id)4.7A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.54 Ohm
Tension de seuil (Vgs(th))2V-4V
Charge de grille (Qg)10 nC

Description technique du produit (IRFR110):

Transistor MOSFET Canal N 100V 4.7A IRFR110. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide.