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IXYS
Transistor MOSFET Canal N 100V 200A IXFR200N10P
Référence produit : IXFR200N10P
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 6.32 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 100V |
| Courant de drain continu (Id) | 200A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 5.5mΩ (typ.) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V - 5V |
| Charge de grille (Qg) | 150nC (typ.) |
Description technique du produit (IXFR200N10P):
Transistor MOSFET Canal N 100V 200A IXFR200N10P. Le IXFR200N10P est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances efficaces.