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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 100V 1A YJL01N10B
Vendu par lot de 100 (le prix affiché est pour un lot de 100)
Référence produit : YJL01N10B
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 14.00 € | — |
| 3 – 4 | 12.46 € | -11% |
| 5 – 9 | 11.08 € | -21% |
| 10 – 29 | 10.02 € | -28% |
| 30+Meilleur prix | 9.59 € | -32% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 100V |
| Courant de drain continu (Id) | 1A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 500mΩ (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.5V (typ) |
| Charge de grille (Qg) | 5nC (typ) |
Description technique du produit (YJL01N10B):
Transistor MOSFET Canal N 100V 1A YJL01N10B. Le YJL01N10B est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide.
. Vendu par lot de 100 (le prix affiché est pour un lot de 100)