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Transistor MOSFET Canal N 100V 1A IRFD110
Référence produit : IRFD110
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.82 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.78 € | -5% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 100V |
| Courant de drain continu (Id) | 1A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.54 Ohm (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2V à 4V |
| Charge de grille (Qg) | 5.5 nC (typ) |
| Boîtier | DIP-4 |
Description technique du produit (IRFD110):
Transistor MOSFET Canal N 100V 1A IRFD110. Le IRFD110 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de commutation rapide.