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Fairchild

Transistor MOSFET Canal N 100V 19A FQP19N10

Référence produit : FQP19N10
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)100V
Courant de drain continu (Id)19A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.09Ω (max) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))2V à 4V
Charge de grille (Qg)15nC

Description technique du produit (FQP19N10):

Transistor MOSFET Canal N 100V 19A FQP19N10. Le FQP19N10 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.