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Fairchild
Transistor MOSFET Canal N 100V 19A FQD19N10L
Référence produit : FQD19N10L
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.73 € | — |
| 100+Meilleur prix | 1.61 € | -7% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 100V |
| Courant de drain continu | 19A |
| Résistance à l'état passant | 85mΩ (max) à Vgs=5V |
| Tension de seuil de grille | 1V à 2V |
| Charge de grille totale | 12nC (typique) |
Description technique du produit (FQD19N10L):
Transistor MOSFET Canal N 100V 19A FQD19N10L. Le FQD19N10L est un transistor MOSFET de puissance à canal N de niveau logique, conçu pour des applications de commutation rapide. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille basse, le rendant idéal pour les interfaces directes avec des microcontrôleurs ou des circuits logiques.