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Infineon
Transistor MOSFET Canal N 100V 180A IPB020N10N5LFATMA1
Référence produit : IPB020N10N5LFATMA1
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 46.16 € | — |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 100 V |
| Courant de drain continu (Id) | 180 A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 2.0 mOhm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3 V (typ.) |
| Charge de grille (Qg) | 100 nC (typ.) |
| Boîtier | TO-263 |
Description technique du produit (IPB020N10N5LFATMA1):
Transistor MOSFET Canal N 100V 180A IPB020N10N5LFATMA1. Transistor MOSFET de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation à haute efficacité.