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Transistor MOSFET Canal N 100V 17A IRF530N

Référence produit : IRF530N
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)100V
Courant de drain continu (Id)17A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.090 Ohm
Tension de seuil (Vgs(th))2.0V - 4.0V
Charge de grille (Qg)25 nC

Description technique du produit (IRF530N):

Transistor MOSFET Canal N 100V 17A IRF530N. Le IRF530N est un transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, le rendant idéal pour les convertisseurs DC-DC, les applications de gestion de moteur et les alimentations à découpage.